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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCJ, LDCC18,.33X.53 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 150 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PQCC-J18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NIBBLE MODE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC18,.33X.53 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.065 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM41257AP-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41257AP-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AP-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM41257AZ-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AZ-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41257AZ-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
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| KM4132G112Q-6/F6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Video DRAM, 1MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 3 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, |
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| KM4132G112Q-8/F8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Video DRAM, 1MX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 3 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, QF |
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| KM4132G112Q-FC | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 1MX32, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, QFP-100 |
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| KM4132G112TQ-6/F6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Video DRAM, 1MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, TQFP-1 |
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