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KM41257AZ-10

更新时间: 2024-11-24 03:08:23
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三星 - SAMSUNG 存储
页数 文件大小 规格书
15页 991K
描述
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode

KM41257AZ-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:ZIP, ZIP16,.1
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:100 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PZIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM
内存宽度:1湿度敏感等级:3
端子数量:16字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP16,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:256
子类别:DRAMs最大压摆率:0.085 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:40

KM41257AZ-10 数据手册

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