5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SOT-23, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.92 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 1.3 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 1.3 µA | 标称共模抑制比： | 92 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 5000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 2.9 mm | 低-偏置： | NO |
| 低-失调： | NO | 微功率： | YES |
| 负供电电压上限： | 标称负供电电压 (Vsup)： | ||
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LSSOP |
| 封装等效代码： | TSOP6,.11,37 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 功率： | NO | 电源： | 2.5/5.5 V |
| 可编程功率： | NO | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.45 mm | 最小摆率： | 20 V/us |
| 标称压摆率： | 20 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 0.26 mA | 供电电压上限： | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.95 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 16000 kHz |
| 最小电压增益： | 630 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 1.6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM4121IT6TR3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO6, SOT-23, 6 PIN |
|
| KM41256-10PJ | SAMSUNG |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PQCC18 |
|
| KM41256-12P | SAMSUNG |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PDIP16 |
|
| KM41256-12PJ | SAMSUNG |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PQCC18 |
|
| KM41256-15PJ | SAMSUNG |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, MOS, PQCC18 |
|
| KM41256A | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41256AJ-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41256AJ-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41256AJ-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
| KM41256AP-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
