是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SOT-23, 6 PIN |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.88 | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 1.3 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 1.3 µA | 标称共模抑制比: | 92 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电压: | 5000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 2.9 mm | 低-偏置: | NO |
低-失调: | NO | 微功率: | YES |
负供电电压上限: | 标称负供电电压 (Vsup): | ||
功能数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LSSOP |
封装等效代码: | TSOP6,.11,37 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
功率: | NO | 电源: | 2.5/5.5 V |
可编程功率: | NO | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.45 mm | 最小摆率: | 20 V/us |
标称压摆率: | 20 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 0.26 mA | 供电电压上限: | 6 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.95 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 16000 kHz |
最小电压增益: | 630 | 宽带: | NO |
宽度: | 1.6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM41256-10PJ | SAMSUNG |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PQCC18 | |
KM41256-12P | SAMSUNG |
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Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PDIP16 | |
KM41256-12PJ | SAMSUNG |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PQCC18 | |
KM41256-15PJ | SAMSUNG |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, MOS, PQCC18 | |
KM41256A | SAMSUNG |
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256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode | |
KM41256AJ-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode | |
KM41256AJ-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode | |
KM41256AJ-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode | |
KM41256AP-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode | |
KM41256AP-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode |