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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.89 | 最长访问时间： | 50 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.41 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 128 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP40/44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 页面大小： | 32 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 4K | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM29V16000AIT | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| KM29V16000AR | SAMSUNG |
获取价格 |
2M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
|
| KM29V16000ARS | SAMSUNG |
获取价格 |
2M X 8 BIT NAN FLASH MEMORY |
|
| KM29V16000AT | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KM29V16000ATS | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| KM29V32000IT | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KM29V32000R | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40 |
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| KM29V32000RS | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40 |
|
| KM29V32000T | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| KM29V32000TS | SAMSUNG |
获取价格 |
4M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
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