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KM29V32000IT

更新时间： 2024-11-28 03:15:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
26页	1092K
描述
FLASH MEMORY

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KM29V32000IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	HARDWARE DATA PROTECTION; 1M PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS; BLOCK ERASE
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	512	端子数量：	40
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3,3.3/5 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

KM29V32000IT 数据手册

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KM29V32000IT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KM29V32000T	SAMSUNG	功能相似	FLASH MEMORY

与KM29V32000IT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM29V32000R	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40
KM29V32000RS	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40
KM29V32000T	SAMSUNG	获取价格	FLASH MEMORY
KM29V32000TS	SAMSUNG	获取价格	4M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64000R	SAMSUNG	获取价格	FLASH
KM29V64000T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
KM29V64000TS	SAMSUNG	获取价格	8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY
KM29V64001R	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, REVERSE, TSOP2-44/40
KM29V64001RS	SAMSUNG	获取价格	8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64001T	SAMSUNG	获取价格	8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY