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KM29V32000TS

更新时间: 2024-11-28 03:15:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
25页 1468K
描述
4M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY

KM29V32000TS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0长度:18.41 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:512端子数量:40
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小:512 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3,3.3/5 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:8K最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NAND TYPE宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

KM29V32000TS 数据手册

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