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KM29V64000R

更新时间： 2024-11-28 03:15:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
23页	1799K
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FLASH

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KM29V64000R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, REVERSE, TSOP2-44/40	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1K
端子数量：	40	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2-R
封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

KM29V64000R 数据手册

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与KM29V64000R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM29V64000T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
KM29V64000TS	SAMSUNG	获取价格	8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY
KM29V64001R	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, REVERSE, TSOP2-44/40
KM29V64001RS	SAMSUNG	获取价格	8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64001T	SAMSUNG	获取价格	8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64001TS	SAMSUNG	获取价格	8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29W040AIT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512KX8, 50ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
KM29W040AT	SAMSUNG	获取价格	512K x 8 bit NAND Flash Memory
KM29W16000ATS	SAMSUNG	获取价格	Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
KM29W16000BIT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40