5秒后页面跳转
KM29N16000AR PDF预览

KM29N16000AR

更新时间: 2024-11-26 18:39:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 69K
描述
Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40

KM29N16000AR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, TSOP40/44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.9最长访问时间:45 ns
命令用户界面:YES数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:512端子数量:40
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
页面大小:256 words并行/串行:PARALLEL
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
反向引出线:YES部门规模:4K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL切换位:NO
类型:NAND TYPEBase Number Matches:1

KM29N16000AR 数据手册

 浏览型号KM29N16000AR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KM29N16000AR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KM29N16000AR的Datasheet PDF文件第4页 

与KM29N16000AR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM29N16000ARS SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40
KM29N16000AT SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
KM29N16000ER SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40
KM29N16000ERS SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40
KM29N16000ET SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40
KM29N16000ETS SAMSUNG

获取价格

暂无描述
KM29N16000R SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40
KM29N16000RS SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40
KM29N16000T SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40
KM29N16000TS SAMSUNG

获取价格

Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40