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KM29N16000AT

更新时间： 2024-11-26 19:38:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	812K
描述
Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

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KM29N16000AT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.87	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	HARDWARE DATA PROTECTION; 1M PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS; BLOCK ERASE	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	数据保留时间-最小值：	10
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	512
端子数量：	40	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	页面大小：	256 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	4K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	SLC NAND TYPE
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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