是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, TSOP40/44,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.9 | 最长访问时间: | 45 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 512 | 端子数量: | 40 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | TSOP40/44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
页面大小: | 256 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
反向引出线: | YES | 部门规模: | 4K |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | NO |
类型: | NAND TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM29N16000AT | SAMSUNG |
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Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40 | |
KM29N16000ER | SAMSUNG |
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Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 | |
KM29N16000ERS | SAMSUNG |
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Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 | |
KM29N16000ET | SAMSUNG |
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Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 | |
KM29N16000ETS | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
KM29N16000R | SAMSUNG |
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Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 | |
KM29N16000RS | SAMSUNG |
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Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 | |
KM29N16000T | SAMSUNG |
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Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 | |
KM29N16000TS | SAMSUNG |
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Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 | |
KM29N32000R | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40 |