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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOP, TSOP40/44,.46,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 45 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 512 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 2MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | TSOP40/44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 页面大小： | 256 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 4K | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM29N16000ETS | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| KM29N16000R | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 |
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| KM29N16000RS | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 |
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| KM29N16000T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 |
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| KM29N16000TS | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 45ns, PDSO40 |
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| KM29N32000R | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40 |
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| KM29N32000RS | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40 |
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| KM29N32000TS | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40 |
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| KM29U128IT | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| KM29U128IT000000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
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