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KFM5616Q1A-DEB6

更新时间: 2024-11-09 20:00:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
113页 1397K
描述
EEPROM Card, 16MX16, 11.5ns, Parallel, CMOS, PBGA67

KFM5616Q1A-DEB6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FBGA, BGA67,8X10,32
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:11.5 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PBGA-B67
JESD-609代码:e3内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:EEPROM CARD内存宽度:16
湿度敏感等级:1部门数/规模:512
端子数量:67字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA67,8X10,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH页面大小:512 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:1.8 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
部门规模:32K最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.04 mA
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:MATTE TIN端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NAND TYPEBase Number Matches:1

KFM5616Q1A-DEB6 数据手册

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MuxOneNAND256(KFM5616Q1A-DEB6)  
FLASH MEMORY  
MuxOneNANDTM Specification  
Density  
Part No.  
VCC(core & IO)  
Temperature  
PKG  
256Mb  
KFM5616Q1A-DEB6 1.8V(1.7V~1.95V)  
Extended  
67FBGA(LF)  
Version: Ver. 1.2  
Date: Dec. 23, 2005  
1

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