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KFM5616Q1M-DEB50

更新时间: 2024-11-06 21:14:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
89页 1186K
描述
Flash, 16MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

KFM5616Q1M-DEB50 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA,针数:63
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:76 ns其他特性:SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE
JESD-30 代码:R-PBGA-B63JESD-609代码:e1
长度:12 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
湿度敏感等级:2功能数量:1
端子数量:63字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-30 °C
组织:16MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1 mm
最大供电电压 (Vsup):1.95 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:9.5 mm
Base Number Matches:1

KFM5616Q1M-DEB50 数据手册

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MuxOneNAND256(KFM5616Q1M)  
FLASH MEMORY  
MuxOneNAND SPECIFICATION  
Product  
MuxOneNAND256  
Part No.  
KFM5616Q1M  
VCC(core & IO)  
PKG  
1.8V(1.7V~1.95V)  
63FBGA(LF)  
Version: Ver. 1.1  
Date: June 15th, 2005  
1

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