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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA63,10X12,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 76 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 部门数/规模： | 2K |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 组织： | 128MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 页面大小： | 1K words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NAND TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KFN2G16Q2M-DED5 | SAMSUNG |
获取价格 |
MuxOneNAND FLASH MEMORY |
|
| KFN2G16Q2M-DED6 | SAMSUNG |
获取价格 |
MuxOneNAND FLASH MEMORY |
|
| KFN3105-Q000-4F | FOXCONN |
获取价格 |
RF N Connector, 1 Contact(s), Female, Board Mount, Solder Terminal, Locking, Jack, LEAD FR |
|
| KFN3105-Q002-4F | FOXCONN |
获取价格 |
RF N Connector, Female, Panel Mount, Board Mount, Solder Terminal, Jack, LEAD FREE |
|
| KFN3N02-NS01-4F | FOXCONN |
获取价格 |
RF N Connector, 1 Contact(s), Female, Panel Mount, Panel Mount, Solder Lug Terminal, Hole |
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| KFN4G16Q2A-DEB6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX16, 11ns, PBGA63 |
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| KFN4G16Q2A-DEB80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX16, 70ns, PBGA63, 10 X13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
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| KFN4G16Q2A-DEB8T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX16, 9ns, PBGA63 |
|
| KFN4G16Q2M-DEB6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX16, 11ns, PBGA63 |
|
| KFN4G16Q2M-DEB8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX16, 9ns, PBGA63, |
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