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KFN4G16Q2M-DEB6T

更新时间： 2024-09-16 20:42:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
177页	3701K
描述
Flash, 256MX16, 11ns, PBGA63

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KFN4G16Q2M-DEB6T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
最长访问时间：	11 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e3	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	部门数/规模：	4K
端子数量：	63	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	256MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA63,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	页面大小：	1K words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	SLC NAND TYPE
Base Number Matches：	1

KFN4G16Q2M-DEB6T 数据手册

MuxOneNAND2G(KFM2G16Q2M-DEBx)

MuxOneNAND4G(KFN4G16Q2M-DEBx)

MuxOneNAND8G(KFK8G16Q2M-DEBx)

FLASH MEMORY

KFM2G16Q2M

KFN4G16Q2M

KFK8G16Q2M

2Gb MuxOneNAND M-die

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MuxOneNAND™‚ is a trademark of Samsung Electronics Company, Ltd. Other names and brands may be

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KFN4G16Q2M-DEB8	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX16, 9ns, PBGA63,
KFN4G16Q2M-DEB80	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-6
KFN4G16Q2M-DEB8T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX16, 9ns, PBGA63
KFN6138AB	CTS	获取价格	Crystal Filter, 1 Function(s), 73.35MHz, 6.5kHz BW(delta f)
KFN8GH6Q4M-DEB60	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX16, 70ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-6
KFN8GH6Q4M-DEB6T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX16, 76ns, PBGA63
KFN8GH6Q4M-DEB8	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX16, 76ns, PBGA63
KFN8GH6Q4M-DEB8T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 512MX16, 76ns, PBGA63
KFNMD-KMNMD	MINI	获取价格	Adapter 2.92mm NMD-M to 2.92mm-NMD-F
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