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KFG1216U2A-FIB6

更新时间： 2024-01-03 15:06:11

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三星 - SAMSUNG		/
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114页	1382K
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FLASH MEMORY

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KFG1216U2A-FIB6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	11.5 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
部门数/规模：	512	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA63,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小：	1K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00008 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

KFG1216U2A-FIB6 数据手册

OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)

FLASH MEMORY

1.5

Product Features

Device Architecture

90nm

• Design Technology:

1.8V (1.7V ~ 1.95V), 2.65V (2.4 ~ 2.9V), 3.3V (2.7 ~3.6V)

16 bit

• Supply Voltage:

• Host Interface:

1KB BootRAM, 4KB DataRAM

(2K+64)B Page Size, (128K+4K)B Block Size

• 5KB Internal BufferRAM:

• SLC NAND Array:

Device Performance

Synchronous Burst Read

• Host Interface Type:

- Up to 54MHz clock frequency

- Linear Burst 4-, 8-, 16, 32-words with wrap around

- Continuous 1K word Sequential Burst

Asynchronous Random Read

- 76ns access time

Asynchronous Random Write

Latency 3(up to 40MHz), 4, 5, 6, and 7

Up to 4 sectors using Sector Count Register

Cold/Warm/Hot/NAND Flash Resets

up to 64 blocks

• Programmable Burst Read Latency

• Multiple Sector Read:

• Multiple Reset Modes:

• Multi Block Erase:

Typical Power,

• Low Power Dissipation:

- Standby current :

10uA@1.8Vdevice,

35uA@2.65V/3.3V device

- Synchronous Burst Read current : 12mA@1.8Vdevice

22mA@2.65V/3.3V device

- Load current :

30mA@all device

- Program current :

25mA@1.8v device

28mA@2.65V/3.3V device

20mA@1.8V device

- Erase current :

23mA@2.65V/3.3V device

20mA@1.8V device

- Multi Block Erase current :

23mA@2.65V/3.3V device

System Hardware

• Voltage detector generating internal reset signal from Vcc

• Hardware reset input (/RP)

- Write Protection for BootRAM

• Data Protection Modes

- Write Protection for NAND Flash Array

- Write Protection during power-up

- Write Protection during power-down

• User-controlled One Time Programmable(OTP) area

• Internal 2bit EDC / 1bit ECC

• Internal Bootloader supports Booting Solution in system

- INT pin indicates Ready / Busy

• Handshaking Feature

- Polling the interrupt register status bit

- by ID register

• Detailed chip information

63ball, 9.5mm x 12mm x max 1.0mmt , 0.8mm ball pitch FBGA

Packaging

1...4 5 678 9 10...114

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KFG1216U2A-FID5	SAMSUNG	获取价格	FLASH MEMORY
KFG1216U2A-FID50	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
KFG1216U2A-FID6	SAMSUNG	获取价格	FLASH MEMORY
KFG1216U2B-DIB6	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 70ns, PBGA63
KFG1216U2B-DIB60	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
KFG1216U2B-DIB6T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 11ns, PBGA63,
KFG1216U2B-SIB6	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 70ns, PBGA67
KFG1216U2B-SIB6T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX16, 11ns, PBGA67,
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