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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VFBGA, BGA63,10X12,32 |
| 针数： | 63 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 76 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 1K |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 组织： | 64MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小： | 1K words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1 mm |
| 部门规模： | 64K | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KFG1G16Q2B-DEB6T | SAMSUNG | EEPROM Card, 64MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA63 |
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| KFG1G16Q2C-AEB60 | SAMSUNG | Flash, 1GX16, 76ns, PBGA63, 13 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE, FBGA-63 |
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| KFG1G16Q2C-AEB6T | SAMSUNG | EEPROM Card, 64MX16, 11ns, Parallel, CMOS, PBGA63 |
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| KFG1G16Q2C-AEB80 | SAMSUNG | Flash, 1GX16, 76ns, PBGA63, 13 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE, FBGA-63 |
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| KFG1G16Q2C-AEB8T | SAMSUNG | EEPROM Card, 64MX16, 9ns, Parallel, CMOS, PBGA63 |
获取价格 |
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| KFG1G16Q2C-AED60 | SAMSUNG | Flash, 1GX16, 76ns, PBGA63, 13 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE, FBGA-63 |
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