是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FBGA, BGA63,10X12,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 11 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B63 | JESD-609代码: | e1 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
部门数/规模: | 512 | 端子数量: | 63 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA63,10X12,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
页面大小: | 1K words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.00008 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.045 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
KFG1216U2B-SIB6 | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 70ns, PBGA67 |
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KFG1216U2B-SIB6T | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 11ns, PBGA67, |
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KFG1216U2M | SAMSUNG | FLASH MEMORY |
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KFG1216U2M-DEB | SAMSUNG | FLASH MEMORY |
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KFG1216U2M-DED | SAMSUNG | FLASH MEMORY |
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KFG1216U2M-DIB | SAMSUNG | FLASH MEMORY |
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