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KFG1216U2B-DIB6T PDF预览

KFG1216U2B-DIB6T

更新时间： 2024-02-21 10:50:46
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
120页 1553K
描述
Flash, 32MX16, 11ns, PBGA63,

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KFG1216U2B-DIB6T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FBGA, BGA63,10X12,32Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最长访问时间：11 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B63JESD-609代码：e1
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：3
部门数/规模：512端子数量：63
字数：33554432 words字数代码：32000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA63,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小：1K words并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：64K
最大待机电流：0.00008 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.045 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
切换位：NO类型：NAND TYPE
Base Number Matches：1

KFG1216U2B-DIB6T 数据手册

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OneNAND512Mb(KFG1216U2B-xIB6)  
FLASH MEMORY  
Revision History  
Document Title  
OneNAND  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
1. Initial issue.  
Aug. 29, 2006  
Advanced  
1.0  
1. Corrected errata  
Jan. 15, 2007  
Final  
2. Deleted Sync Burst Write, Cache Read, Sync Burst Block Read and  
83Mhz option.  
3. Added package size of 7mm x 9mm (67ball)  
4. Chapter 2.8.19 : revised description of RDY configuration.  
5. Chapter 3.1 : added comments on Note 4)  
6. Chapter 3.3 : revised Start Block Address value at Hot reset into N/A.  
7. Chapter 3.4.4 & 3.83.8 & 3.9 & 3.10.1 & 3.10.3 : revised flow charts of  
’Data protection operation’ & ’All block unlock operation’ & ’Program oper-  
ation’ & ’Copy-back program operation’ & ’Block erase operation’ & ’Multi-  
block erase verify read’.  
8. Chapter 3.5 & 6.17 : corrected data protection explanation during power-  
down.  
9. Chapter 3.9 : corrected start address restriction of DataRAMs.  
10. Chapter 3.9.1 : deleted data sequence table.  
11. Chapter 6.11 & 6.12 : revised timing diagram.  
12. Chapter 7.1 & 7.1.2 : added the case table of INT type and comment  
regarding INT pin connection when unused.  
1.1  
1. Corrected errata.  
Aug. 17, 2007  
Final  
2. Chapter 1.4 Product Features revised(@3.3V deleted).  
3. Chapter 2.8.21 Controller Status Register Output Modes revised.  
4. Chapter 2.8.23 Start Block Address Register revised.  
5. Chapter 3.3 Reset Mode Operation revised.  
6. Chapter 3.3.1 Cold Reset Mode Operation revised.  
7. Chapter 3.4.4 Data Protection Operation Flow Diagram and All Block  
Unlock Flow Diagram revised.  
8. Chapter 3.5 Data Protection During Power Down Operation revised.  
9. Chapter 3.9.1 Copy-Back Program Operation with Random Data Input  
revised.  
10. Chapter 3.10.2 Multi-Block Erase Operation revised.  
11. Chapter 5.4 AC Characteristics for Synchronous Burst Read revised.  
12. Chapter 5.8 AC Characteristics for Load/Program/Erase Performance  
revised.  
13. Chapter 6.13 Cold Reset Timing revised.  
14. Chapter 7.1.2 Polling the Interrupt Register Status Bit revised.  
1.2  
1.3  
1. Chapter4.3 DC Characteristics revised.  
Aug. 27, 2007  
Sep. 06, 2007  
Final  
Final  
1. Chapter 5.8 AC Characteristics for Load/Program/Erase Performance  
revised.  
1.4  
1. Chapter 5.7 AC Characteristics for Asynchronous Write tCH revised.  
2. Chapter 5.9 AC Characteristics for Load/Program/Erase Performance  
tINTW removed.  
Jun. 11, 2008  
Final  
3. Chapter 6.11 Program Operation Timing tINTW removed.  
4. Chapter 6.12 Block Erase Operation Timing tINTW removed.  
2
1234567...120

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
KFG1216U2B-SIB6 SAMSUNG Flash, 32MX16, 70ns, PBGA67

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