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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FBGA, BGA63,10X12,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | 最长访问时间： | 14.5 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 部门数/规模： | 512 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 页面大小： | 1K words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KFG1216U2M-DID | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1G1612M-DEB5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY(54MHz) |
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| KFG1G1612M-DED5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY(54MHz) |
|
| KFG1G16D2M-DEB | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1G16D2M-DEB5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY(54MHz) |
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| KFG1G16D2M-DEB6 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY(54MHz) |
|
| KFG1G16D2M-DED | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1G16D2M-DED5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY(54MHz) |
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| KFG1G16D2M-DED6 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY(54MHz) |
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| KFG1G16D2M-DIB | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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