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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA63,10X12,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 11.5 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 部门数/规模： | 512 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 页面大小： | 1K words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 64K | 最大待机电流： | 0.00008 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KFG1216U2A-FID5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| KFG1216U2A-FID50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
|
| KFG1216U2A-FID6 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2B-DIB6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 70ns, PBGA63 |
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| KFG1216U2B-DIB60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
|
| KFG1216U2B-DIB6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 11ns, PBGA63, |
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| KFG1216U2B-SIB6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 70ns, PBGA67 |
|
| KFG1216U2B-SIB6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 11ns, PBGA67, |
|
| KFG1216U2M | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| KFG1216U2M-DEB | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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