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KBU6M PDF预览

KBU6M

更新时间： 2024-01-10 17:38:05
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
3页 33K
描述
6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers

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KBU6M 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
湿度敏感等级：1Base Number Matches：1

KBU6M 数据手册

 浏览型号KBU6M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBU6M的Datasheet PDF文件第3页 
Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
KBU6A - KBU6M  
0.935(23.7)  
0.280(7.1)  
0.895(22.7)  
0.260(6.6)  
0.16(4.1)  
0.14(3.6)  
0.085(2.2)  
0.065(1.7)  
Features  
45°  
+
0.70(17.8)  
+
0.66(16.8)  
• High surge current capability.  
• Reliable construction technique.  
• Ideal for printed circuit board.  
0.0760(19.3)  
MAX  
0.455(11.3)  
0.405(10.3)  
~
–
~
+
0.165(4.2)  
0.150(3.8)  
1.0(2.54)  
KBU  
MIN  
0.260(6.8)  
0.180(4.5)  
0.220(5.6)  
0.180(4.6)  
0.052(1.3)  
0.048(1.2)  
6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers  
Dimensions are in: inches (mm)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
@ TA = 65°C  
6.0  
A
Peak Forward Surge Current  
250  
A
if(surge)  
PD  
Total Device Dissipation  
6.7  
54  
8.6  
W
mW/°C  
°C/W  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg  
Thermal Resistance, Junction to Case,** per leg  
Storage Temperature Range  
RθJA  
RθJC  
Tstg  
TJ  
4.0  
°C/W  
°C  
-55 to +150  
-55 to +150  
Operating Junction Temperature  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on PCB with 0.375 " (9.5 mm) lead length and 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm) copper pads.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
6A  
50  
35  
50  
6B  
100  
70  
6D  
200  
140  
200  
6G  
400  
280  
400  
6J  
6K  
6M  
1000  
700  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
100  
1000  
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
Maximum Reverse Leakage,  
total bridge @ rated VR TA = 25°C  
TA = 100°C  
5.0  
500  
µA  
µA  
Maximum Forward Voltage Drop,  
per bridge  
@ 6.0 A  
1.0  
V
KBU6A-KBU6M, Rev.  
A
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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KBU6M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GBU6M-E3/51 VISHAY

类似代替

 Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU6M FAIRCHILD

类似代替

 6.0 Ampere Bridge Rectifiers

与KBU6M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBU6M/1 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V V(RRM),
KBU6M/1-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Recti
KBU6M/51 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN
KBU6M/51-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Recti
KBU6M/72-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Recti
KBU6M1 VISHAY

获取价格

 		6A, 1000V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN
KBU6M1-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Recti
KBU6ME4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, B
KBU6M-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Recti
KBU6MPT CHENMKO

获取价格

 		SILICON BRIDGE RECTIFIER

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