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GBU6M

更新时间： 2024-11-01 22:48:51
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管局域网
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3页 55K
描述
6.0 Ampere Bridge Rectifiers

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GBU6M 数据手册

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GBU6A - GBU6M  
0.125 X 45O  
(3.2) Typ  
0.880 (22.3)  
0.860 (21.8)  
0.020 R  
TYP  
Features  
0.160 (4.1)  
0.140 (3.5)  
0.310 (7.9)  
0.290 (7.4)  
+
+
• Surge overload rating: 175 amperes peak.  
0.740 (18.8)  
0.720 (18.3)  
0.085 (2.16)  
0.065 (1.65)  
0.075 R  
(1.9)  
• Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique.  
+
~
~
0.080 (2.03)  
0.060 (1.52)  
0.710 (18.0)  
0.690 (17.5)  
• Ideal for printed circuit board.  
0.100 (2.54)  
0.085 (2.16)  
GBU  
0.080 (2.03)  
0.065 (1.65)  
0.050 (1.27)  
0.040 (1.02)  
0.050 (1.3)  
0.040 (1.0)  
Dimensions are in:  
inches (mm)  
0.210 (5.3)  
0.190 (4.8)  
6.0 Ampere Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
if(surge)  
6.0  
A
Average Rectified Current  
@ TA = 100°C  
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
175  
A
PD  
14.5  
W
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg  
mW/°C  
°C/W  
8.6  
3.1  
RθJA  
RθJC  
Tstg  
TJ  
Thermal Resistance, Junction to Case,*** per leg  
Storage Temperature Range  
°C/W  
°C  
-55 to +150  
-55 to +150  
Operating Junction Temperature  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm).  
***Device mounted on Al plate with 2.6 x 1.4" x 0.06" (6,5 x 3.5 x 0.15 cm).  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
6A  
50  
35  
50  
6B  
100  
70  
6D  
6G  
6J  
6K  
6M  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Input Voltage  
200 400 600 800 1000  
140 280 420 560 700  
200 400 600 800 1000  
V
V
V
100  
DC Reverse Voltage (Rated VR)  
Maximum Reverse Leakage, per element  
5.0  
500  
A
A
µ
µ
@ rated VR  
T = 25 C  
°
A
T = 125 C  
°
A
Maximum Forward Voltage Drop, per element  
@ 6.0 A  
1.0  
127  
V
I2t rating for fusing  
t < 8.35 ms  
A2Sec  
GBU6A-GBU6M, Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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GBU6M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GBU6M-E3/72 VISHAY

类似代替

 Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V V(RRM),
KBU6M FAIRCHILD

类似代替

 6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers

与GBU6M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU6M/72-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
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