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KBJ1008G

更新时间： 2024-02-17 16:40:27

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美微科 - MCC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	354K
描述
10 Amp GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS 50 to 1000 Volts

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KBJ1008G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	800 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

KBJ1008G 数据手册

M C C

KBJ10005G

THRU

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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KBJ1010G

Features

10 Amp

•

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

GLASS PASSIVATED

BRIDGE RECTIFIERS

50 to 1000 Volts

•

Moisture Sensitivity Level 1

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix

designates RoHS Compliant. See ordering information)

KBJ

Maximum Ratings

Operating Junction Temperature: -55°C to + 1 50°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

•

UL Recognized File # E165989

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

Reverse

Voltage

50V

KBJ10005G KBJ10005G

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

KBJ1001G

KBJ1002G

KBJ1004G

KBJ1006G

KBJ1008G

KBJ1010G

KBJ1001G

KBJ1002G

KBJ1004G

KBJ1006G

KBJ1008G

KBJ1010G

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

140V

280V

420V

560V

700V

Case Type

DIMENSIONS

INCHES

MIN MAX

.992

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

DIM

MIN

24.80

14.70

MAX

25.20

15.30

NOTE

.976

.579

I_F(AV)

T_C= 100°C

10A

.602

.154

.173

.161

.189

3.90

4.40

3.40

3.10

3.30

0.90

4.10

4.80

3.80

3.40

3.70

1.10

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

170A

8.3ms, half sine

.134

.122

.150

.134

.130

.035

.146

.043

Maximum Forward

Voltage Drop Per

Element

V_F

1.0V

I_FM= 5.0A per

element;

.059

.669

.287

.075

.709

.303

1.50

17.00

7.30

2.50

0.60

1.90

18.00

7.70

2.90

0.80

T_A= 25°C (Note 2)

.098

.024

.114

.031

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

.366

9.30

.413

10.50

T_J=25 ^OC

T_J=125 ^OC

5µA

.118X45

3.0X45

I_R

.122

.134

3.10

3.40

500µA

I²t Rating for fusing

I²t

(t<8.3ms)

120A S

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7a

2. Pulse Test: Pulse Width 300usec, Duty Cycle 1%

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision:E

2017/11/22

12 3

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与KBJ1008G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KBJ1008G(LS)	DIODES	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
KBJ1008G-BP	MCC	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBJ,	获取价格
KBJ1008G-BP-HF	MCC	Bridge Rectifier Diode, 10A, 800V V(RRM),	获取价格
KBJ1008G-BP-TF	MCC	Bridge Rectifier Diode,	获取价格
KBJ1010	PANJIT	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
KBJ1010	HY	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格

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