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KBJ10A

更新时间： 2024-01-26 10:54:11
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WTE 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
10A BRIDGE RECTIFIER

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KBJ10A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.24
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KBJ10A 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
KBJ10A – KBJ10M  
10A BRIDGE RECTIFIER  
Features  
!
Diffused Junction  
!
!
!
!
!
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
A
G
KBJ-4  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
24.7  
14.7  
—
Max  
25.3  
15.3  
4.0  
B
C
+
~
~
-
H
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ J  
L
D
17.0  
3.3  
18.0  
3.7  
K
E
G
H
J
3.1Ø  
1.05  
1.7  
3.4Ø  
1.45  
2.1  
Mechanical Data  
P
P
P
!
!
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 4.0 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
M
K
L
0.9  
1.1  
N
1.5  
1.9  
!
!
!
!
M
N
P
4.8  
5.16  
4.4  
3.8  
R
S
7.3  
7.7  
Marking: Type Number  
G
R
S
9.3  
9.7  
3.4  
3.9  
T
0.6  
0.8  
All Dimensions in mm  
T
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol KBJ10A KBJ10B KBJ10D KBJ10G KBJ10J KBJ10K KBJ10M Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 100°C  
@TA = 25°C  
10  
3.0  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
I
FSM  
170  
A
I2t Rating for Fusing (t < 8.35ms)  
I2t  
120  
A2s  
V
Forward Voltage (per diode)  
Peak Reverse Current  
@IF = 5.0A  
VFM  
IR  
1.05  
@TA = 25°C  
5.0  
500  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage @TC = 100°C  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
RꢀJC  
2.5  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Thermal resistance junction to case, mounted on 150 x 150 x 1.6mm thick Cu plate heatsink.  
KBJ10A – KBJ10M  
1 of 3  
© 2002 Won-Top Electronics  
123

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