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KBJ10D

更新时间： 2024-02-12 16:46:11
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DAESAN /
页数 文件大小 规格书
2页 241K
描述
CURRENT 10.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts

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KBJ10D 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.24
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KBJ10D 数据手册

 浏览型号KBJ10D的Datasheet PDF文件第2页 
CURRENT 10.0 Amperes  
VOLTAGE 50 to 1000 Volts  
KBJ10A THRU KBJ10M  
Features  
L
M
· Glass Passivated Die Construction  
· High Case Dielectric Strength of 1500VRMS  
· Low Reverse Leakage Current  
· Surge Overload Rating to 170A Peak  
· Ideal for Printed Circuit Board Applications  
· Plastic Material - UL Flammability Classification 94V-0  
A
K
B
S
N
_
J
P
D
H
C
R
I
G
E
E
K B J  
Mechanical Data  
Dim  
A
Min  
29.70  
19.70  
17.00  
3.80  
Max  
Dim  
J
Min  
Max  
30.30  
20.30  
18.00  
4.20  
2.30  
2.70  
· Case : Molded Plastic  
· Terminals : Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
O
B
3.0 X 45  
K
L
C
4.40  
3.40  
3.10  
2.50  
0.60  
10.80  
4.80  
3.80  
3.40  
2.90  
0.80  
11.20  
M
N
P
R
S
D
E
· Polarity : Molded on Body  
7.30  
7.70  
· Mounting : Through Hole for #6 Screw  
· Mounting Torque : 5.0 in-Ibs Maximum  
· Weight : 6.6 grams (approx.)  
· Marking : Type Number  
G
H
I
9.80  
10.20  
2.40  
2.00  
0.90  
1.10  
All Dimens ions in mm  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive  
load. For capacitive load, derate by 20%)  
KBJ  
10A  
KBJ  
10B  
KBJ  
10D  
KBJ  
10G  
KBJ  
10J  
KBJ  
10K  
KBJ  
10M  
Symbols  
Units  
Peak Repetitive Reverse voltage  
Working Peak Reverse voltage  
DC Blocking voltage  
V
V
V
RMM  
RWM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
Volts  
R
RMS Reverse voltage  
V
R(RMS)  
280  
10  
Volts  
Average Rectified Output Current @ T  
C
=110  
Io  
Amps  
℃
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,  
8.3ms single half-sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
170  
Amps  
VFM  
1.05  
Volts  
Forward Voltage per element  
@ IF=5.0 A  
@ T  
@ T  
C
=25℃  
10  
Peak Reverse Current at Rated  
DC Blocking voltage  
I
R
μA  
C=125℃  
500  
120  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms) (Note 1)  
I2t  
A2  
S
Typical Junction Capacitance  
per element (Note 2)  
Cj  
55  
pF  
Typical Thermal Resistance,  
Junction to Case (Note 3)  
4.0  
℃/W  
RθJA  
T
STG  
j
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
℃
T
Notes:  
(1) Non-repetitive, for t > 1.0ms and < 8.3ms.  
(2) Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
(3) Thermal Resistance from junction to case per element. Unit mounted on 150 x 150 x 1.6mm copper plate heat sink.  
12

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