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KBJ10D

更新时间： 2024-01-08 20:20:35
品牌 Logo 应用领域
鲁光 - LGE /
页数 文件大小 规格书
2页 158K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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KBJ10D 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.24
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KBJ10D 数据手册

 浏览型号KBJ10D的Datasheet PDF文件第2页 
KBJ10A-KBJ10M  
Silicon Bridge Rectifiers  
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V  
CURRENT: 10.0 A  
KBJ  
Features  
4.7± 0.25  
Rating to 1000V PRV  
30± 0.3  
3.7± 0.2  
Surge overload rating to 200 Amperes peak  
Ideal for printed circuit board  
Reliable low cost construction utilizing molded  
plastic technique results in inexpensive product  
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208  
2.8± 0.2  
2.4± 0.2  
0.8± 0.15  
2.2± 0.2  
1.0± 0.1  
10± 0.2 7.5± 0.2 7.5± 0.2  
Mechanical Data  
Polarity:Symbols molded on body  
Weight:0.23 ounces, 6.6 grams  
Mounting position: Any  
Dimensions in millimeters  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.  
KBJ  
10A  
KBJ  
10B  
KBJ  
10D  
KBJ  
10G  
KBJ  
10J  
KBJ  
10K  
KBJ  
10M  
UNITS  
V
V
V
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
1000  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forw ard  
A
10.0  
IF(AV)  
Output current  
@TA=110  
Peak forw ard surge current  
8.3ms single half-sine-w ave  
superimposed on rated load  
A
V
IFSM  
200.0  
Maximum instantaneous forw ard voltage  
at 5.0 A  
1.1  
VF  
IR  
A
μ
5.0  
0.5  
55  
Maximum reverse current  
@TA=25  
mA  
pF  
at rated DC blocking voltage @TA=100  
Typical junction capacitance per element  
Typical thermal resistance  
CJ  
RθJC  
TJ  
1.4  
/W  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
TSTG  
NOTES:1.Measured at 1.0MHZ and applied rev erse v oltage of 4.0V DC  
2.Dev ice mounted on 300mm X 300mm X 1.6mm cu Plate heatsink.  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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