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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 30 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 部门数/规模： | 8K | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 页面大小： | 512 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 16K | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | SLC NAND TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9K1G08U0B-JIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63 |
|
| K9K1G08U0B-JIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63, LEAD FREE, FBGA-63 |
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| K9K1G08U0B-JIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63 |
|
| K9K1G08U0M | SAMSUNG |
获取价格 |
nand flash |
|
| K9K1G08U0M-YCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9K1G08U0M-YIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9K1G16Q0A | SAMSUNG |
获取价格 |
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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| K9K1G16Q0A-GCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 64MX16, 40ns, PBGA63, |
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| K9K1G16Q0A-GCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, FBGA-63 |
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| K9K1G16Q0A-GIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 64MX16, 40ns, PBGA63, |
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