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K9K1G16Q0A-JCB00

更新时间： 2024-12-01 14:34:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 906K
描述
Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, FBGA-63

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K9K1G16Q0A-JCB00 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：FBGA-63针数：63
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.79
最长访问时间：40 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B63
长度：16 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：63
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM类型：SLC NAND TYPE
宽度：8.5 mmBase Number Matches：1

K9K1G16Q0A-JCB00 数据手册

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Preliminary  
FLASH MEMORY  
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A  
K9K1G08U0A K9K1G16U0A  
Document Title  
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial issue.  
Mar. 17th 2003 Preliminary  
0.1  
1. Note is added.  
Jun. 4th 2003  
Preliminary  
(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for  
durations of 20 ns or less.)  
2. 63FBGA,1.8V product is added.  
K9K1GXXQ0A-GCB0,GIB0,JCB0,JIB0  
Aug. 1st 2003  
Errata is deleted.  
AC parameters are changed.  
Preliminary  
0.2  
tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA  
Before 45 15 25 50 15 25 30  
After 60 20 40 60 20 40 40  
45  
55  
Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.  
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you  
have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9K1G16U0A SAMSUNG

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 		128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G16U0A-GIB00 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, FBGA-63
K9K1G16U0A-JCB0 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 64MX16, 30ns, PBGA63,
K9K1G16U0A-JCB00 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, LEAD FREE, FBGA-63
K9K1G16U0A-JIB0 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 64MX16, 30ns, PBGA63,
K9K1G16U0A-JIB00 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, LEAD FREE, FBGA-63
K9K1G16U0A-PCB00 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 16MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9K1G16U0A-PIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9K1G16U0A-YCB0 SAMSUNG

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 		Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48,
K9K1G16U0A-YCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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