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K9K1G16U0A-YCB0

更新时间： 2024-12-01 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	918K
描述
Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48,

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K9K1G16U0A-YCB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	8K
端子数量：	48	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	256 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9K1G16U0A-YCB0 数据手册

Preliminary

FLASH MEMORY

K9K1G08Q0A

K9K1G08U0A K9K1G16U0A

Document Title

128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

Mar. 17th 2003 Advance

0.1

1. Note is added.

Jun. 4th 2003

Aug. 1st 2003

Oct. 14th 2003

Preliminary

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

2. 63FBGA,1.8V product is added.

K9K1G08Q0A-GCB0,GIB0,JCB0,JIB0

Errata is deleted.

AC parameters are changed.

Preliminary

0.2

0.3

tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA

Before 45 15 25 50 15 25 30

After 60 20 40 60 20 40 40

1. K9K1G16Q0A-DC(I)B0 is deleted.

2. AC parameters are changed.

tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA

K9K1GXXU0A 50 15 25 50 15 25 30

K9K1GXXD0A

K9K1G08Q0A 60 20 40 60 20 40 40

0.4

0.5

1. Add the Protrusion/Burr value in WSOP1 PKG Diagram.

Preliminary

Apr. 23th 2004

May 21th 2004

1. PKG(TSOP1, WSOP1) Dimension Change

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you

have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9K1G16U0A-YCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9K1G16U0A-YIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9K2G08Q0M	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08Q0M-P	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08Q0M-PCB0	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08Q0M-PIB0	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08Q0M-PIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9K2G08Q0M-Y	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08Q0M-YCB0	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08Q0M-YCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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