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K9K1G08U0B-JIB00

更新时间： 2024-12-01 18:48:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
41页	1075K
描述
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63, LEAD FREE, FBGA-63

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K9K1G08U0B-JIB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LEAD FREE, FBGA-63
针数：	63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	JESD-609代码：	e1
长度：	13.5 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	8K	端子数量：	63
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA63,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	SLC NAND TYPE
宽度：	8.5 mm	Base Number Matches：	1

K9K1G08U0B-JIB00 数据手册

K9K1G08R0B

K9K1G08B0B

K9K1G08U0B

FLASH MEMORY

Document Title

128M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

Initial issue.

Mar. 17th 2003 Advance

Oct. 11th 2004 Advance

1. Note 1 ( Program/Erase Characteristics) is added( page 13 )

2. NAND Flash Technical Notes is changed.

-Invalid block -> initial invalid block ( page 15 )

-Error in write or read operation ( page 16 )

-Program Flow Chart ( page 16 )

3. Vcc range is changed

-1.7V~1.95V ->1.65V~1.95V

4. 2.7V device is added

5. Multi plane operation and Copy-Back Program are not supported with 1.8V

device.

1. The flow chart to creat the initial invalid block table is changed.

0.2

1.0

May 6th. 2005 Preliminary

May 30th 2005

Final

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9K1G08U0B-JIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63
K9K1G08U0M	SAMSUNG	获取价格	nand flash
K9K1G08U0M-YCB0	SAMSUNG	获取价格	128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08U0M-YIB0	SAMSUNG	获取价格	128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G16Q0A	SAMSUNG	获取价格	128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G16Q0A-GCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 64MX16, 40ns, PBGA63,
K9K1G16Q0A-GCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, FBGA-63
K9K1G16Q0A-GIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 64MX16, 40ns, PBGA63,
K9K1G16Q0A-JCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 64MX16, 40ns, PBGA63,
K9K1G16Q0A-JCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, FBGA-63

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