Datasheet > 存储 > 闪存> K9K1G08U0M-YIB0

K9K1G08U0M-YIB0

更新时间： 2024-11-30 22:09:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
37页	468K
描述
128M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9K1G08U0M-YIB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.77	最长访问时间：	35 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8K
端子数量：	48	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	SLC NAND TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

K9K1G08U0M-YIB0 数据手册

K9K1G08U0M-YCB0, K9K1G08U0M-YIB0

FLASH MEMORY

Document Title

128M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

1. Initial issue

Apr. 7th 2001

Jul. 3rd 2001

1.[Page 31] device code (76h) --> device code (79h)

1.Powerup sequence is added

0.2

: Recovery time of minimum 1ms is required before internal circuit gets

ready for any command sequences

Jul. 23th 2001

2.5V

VCC

High

2. AC parameter tCLR(CLE to RE Delay, min 50ns) is added.

3. [Page28] Only address A14 to A25 is valid while A9 to A13 is ignored

--> Only address A14 to A26 is valid while A 9 to A13 is ignored

(page 30)

0.3

Sep. 13th 2001

A14 and A15 must be the same between source and target page

--> A14 , A15 and A26 must be the same between source and target page

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’ s Flash web site.

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you

have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.

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K9K1G08U0M-YIB0 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
K9K1G08U0M-YCB0	SAMSUNG	完全替代	128M x 8 Bit NAND Flash Memory

与K9K1G08U0M-YIB0相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9K1G16Q0A	SAMSUNG	获取价格	128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G16Q0A-GCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 64MX16, 40ns, PBGA63,
K9K1G16Q0A-GCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, FBGA-63
K9K1G16Q0A-GIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 64MX16, 40ns, PBGA63,
K9K1G16Q0A-JCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 64MX16, 40ns, PBGA63,
K9K1G16Q0A-JCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 40ns, PBGA63, FBGA-63
K9K1G16U0A	SAMSUNG	获取价格	128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G16U0A-GIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, FBGA-63
K9K1G16U0A-JCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 64MX16, 30ns, PBGA63,
K9K1G16U0A-JCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 30ns, PBGA63, LEAD FREE, FBGA-63

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