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K9K1G08Q0A-PIB0

更新时间： 2024-12-01 03:26:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 674K
描述
Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48,

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K9K1G08Q0A-PIB0 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最长访问时间：30 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
部门数/规模：8K端子数量：48
字数：134217728 words字数代码：128000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：512 words并行/串行：PARALLEL
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：16K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：NO类型：NAND TYPE
Base Number Matches：1

K9K1G08Q0A-PIB0 数据手册

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Preliminary  
FLASH MEMORY  
K9K1G08Q0A K9K1G16Q0A  
K9K1G08U0A K9K1G16U0A  
Document Title  
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial issue.  
Mar. 17th 2003 Preliminary  
0.1  
1. Note is added.  
Jun. 4th 2003  
Preliminary  
(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for  
durations of 20 ns or less.)  
2. 63FBGA,1.8V product is added.  
K9K1GXXQ0A-GCB0,GIB0,JCB0,JIB0  
Aug. 1st 2003  
Errata is deleted.  
AC parameters are changed.  
Preliminary  
0.2  
tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA  
Before 45 15 25 50 15 25 30  
After 60 20 40 60 20 40 40  
45  
55  
Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.  
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you  
have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9K1G08Q0A-YCB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48,
K9K1G08Q0A-YIB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48,
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 		128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08R0B-GCB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63
K9K1G08R0B-GCB00 SAMSUNG

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 		暂无描述
K9K1G08R0B-GIB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63
K9K1G08R0B-GIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63, FBGA-63
K9K1G08R0B-GIB0T SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63
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 		Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63
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