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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 40 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 部门数/规模： | 8K |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 页面大小： | 512 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 部门规模： | 16K |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | SLC NAND TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9K1G08R0B-GIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63, FBGA-63 |
|
| K9K1G08R0B-GIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63 |
|
| K9K1G08R0B-JCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63 |
|
| K9K1G08R0B-JCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63 |
|
| K9K1G08R0B-JIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63 |
|
| K9K1G08R0B-JIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 40ns, PBGA63 |
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| K9K1G08U0A | SAMSUNG |
获取价格 |
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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| K9K1G08U0A1 | SAMSUNG |
获取价格 |
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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| K9K1G08U0A-FCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, |
|
| K9K1G08U0A-FCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48 |
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