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K9K1G08U0A-VIB00

更新时间： 2024-12-02 10:02:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
44页 922K
描述
Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, PLASTIC, WSOP1-48

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K9K1G08U0A-VIB00 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：VSSOP,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最长访问时间：30 ns其他特性：CONTAINS ADDITIONAL 32M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：15.4 mm
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.7 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：12 mm

K9K1G08U0A-VIB00 数据手册

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Preliminary  
FLASH MEMORY  
K9K1G08Q0A  
K9K1G08U0A K9K1G16U0A  
Document Title  
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial issue.  
Mar. 17th 2003 Advance  
0.1  
1. Note is added.  
Jun. 4th 2003  
Aug. 1st 2003  
Oct. 14th 2003  
Preliminary  
(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for  
durations of 20 ns or less.)  
2. 63FBGA,1.8V product is added.  
K9K1G08Q0A-GCB0,GIB0,JCB0,JIB0  
Errata is deleted.  
AC parameters are changed.  
Preliminary  
Preliminary  
0.2  
0.3  
tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA  
Before 45 15 25 50 15 25 30  
After 60 20 40 60 20 40 40  
45  
55  
1. K9K1G16Q0A-DC(I)B0 is deleted.  
2. AC parameters are changed.  
tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA  
K9K1GXXU0A 50 15 25 50 15 25 30  
45  
K9K1GXXD0A  
K9K1G08Q0A 60 20 40 60 20 40 40  
55  
0.4  
0.5  
1. Add the Protrusion/Burr value in WSOP1 PKG Diagram.  
Preliminary  
Preliminary  
Apr. 23th 2004  
May 21th 2004  
1. PKG(TSOP1, WSOP1) Dimension Change  
Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.  
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you  
have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9K1G08U0A-YCB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48
K9K1G08U0A-YIB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48
K9K1G08U0A-YIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9K1G08U0B SAMSUNG

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 		128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08U0B-GCB0 SAMSUNG

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