是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA63,10X12,32 |
针数: | 63 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 30 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B63 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 11 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 4K | 端子数量: | 63 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA63,10X12,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 页面大小: | 256 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 8K | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9K1216U0C-JIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
IC,EEPROM,NAND FLASH,32MX16,CMOS,BGA,63PIN,PLASTIC | |
K9K1G08B0B | SAMSUNG |
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128M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9K1G08B0B-GCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63 | |
K9K1G08B0B-GCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63, FBGA-63 | |
K9K1G08B0B-GCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63 | |
K9K1G08B0B-GIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63 | |
K9K1G08B0B-GIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63, FBGA-63 | |
K9K1G08B0B-GIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63 | |
K9K1G08B0B-JCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63 | |
K9K1G08B0B-JCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 128MX8, 30ns, PBGA63, LEAD FREE, FBGA-63 |