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K9K1208Q0C-JCB0

更新时间： 2024-11-29 15:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
39页	955K
描述
Flash, 64MX8, 40ns, PBGA63

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K9K1208Q0C-JCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	40 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e3	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	部门数/规模：	4K
端子数量：	63	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA63,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9K1208Q0C-JCB0 数据手册

K9K1208Q0C

K9K1208D0C

K9K1208U0C

K9K1216Q0C

K9K1216D0C

K9K1216U0C

FLASH MEMORY

Document Title

64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

Sep. 12th 2002

Advance

1.0

1.Pin assignment of TBGA dummy ball is changed.

(before) DNU --> (after) N.C

Jan. 3rd 2003

2. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 34)

3. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 35)

4. Add the specification of Block Lock scheme.(Page 29~32)

5. Pin assignment of TBGA A3 ball is changed.

(before) N.C --> (after) Vss

2.0

1. The Maximum operating current is changed.

Read : Icc1 20mA-->30mA

Program : Icc2 20mA-->40mA

Erase : Icc3 20mA-->40mA

Jan. 17th 2003

Preliminary

2.1

2.2

The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

K9K12XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

Mar. 5th 2003

Pb-free Package is added.

K9K1208U0C-HCB0,HIB0

K9K12XXQ0C-HCB0,HIB0

K9K1216U0C-HCB0,HIB0

K9K1216Q0C-HCB0,HIB0

Mar. 13rd 2003

2.3

2.4

Errata is added.(Front Page)-K9K12XXQ0C

tWC tWP tRC tREH tRP tREA tCEA

Mar. 17th 2003

Apr. 4th 2003

Specification

45 25 50 15 25 30

Relaxed value 60 40 60 20 40 40

1. Max. Thickness of TBGA packge is changed.

0.09±0.10(Before) --> 1.10±0.10(After)

2. New definition of the number of invalid blocks is added.

(Minimum 1004 valid blocks are guaranteed for each contiguous 128Mb

memory space.)

1. The guidence of LOCKPRE pin usage is changed.

Don’t leave it N.C. Not using LOCK MECHANISM & POWER-ON AUTO-

READ, connect it Vss.(Before)

2.5

Jul. 4th 2003

--> Not using LOCK MECHANISM & POWER-ON AUTO-READ, connect

it Vss or leave it N.C(After)

2. 2.65V device is added.

3. Note is added.

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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