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K9F5608U0DFIB000

更新时间： 2024-01-15 00:19:04

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	847K
描述
Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 17 X 12 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48

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K9F5608U0DFIB000 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	17 X 12 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	15.4 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NAND TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

K9F5608U0DFIB000 数据手册

K9F5608R0D

K9F5608U0D

FLASH MEMORY

K9F5608B0D

K9F5608X0D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F5608U0D-FIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48
K9F5608U0D-J	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-JCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-JCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0DJCB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0D-JCB0T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K9F5608U0D-JIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-JIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0DJIB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0D-JIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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