Datasheet > 存储 > 闪存> K9F5608U0D-JCB0

K9F5608U0D-JCB0

更新时间： 2024-02-27 22:09:54

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	861K
描述
32M x 8 Bit NAND Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K9F5608U0D-JCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	JESD-609代码：	e3
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
部门数/规模：	2K	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA63,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9F5608U0D-JCB0 数据手册

K9F5608R0D

K9F5608U0D

FLASH MEMORY

K9F5608D0D

K9F5608X0D

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

12 3 4 5 6 7...35

中文翻译

下载PDF

与K9F5608U0D-JCB0相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F5608U0D-JCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0DJCB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0D-JCB0T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K9F5608U0D-JIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-JIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0DJIB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0D-JIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0D-P	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-PCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-PCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48

与K9F5608U0D-JCB0相关文章

BSS123LT1资料解读：电气参数及替代型号推荐
2024-06-21

10
LTC1151C双通道±15V零漂移运算放大器全面解读
2024-06-21

12
CNX36手册解读：产品特性、应用及封装引脚详解
2024-06-21

7
PS9552资料解读：引脚信息、电气参数
2024-06-21

7

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K9F5608U0D-JCB0

K9F5608U0D-JCB0 技术参数

K9F5608U0D-JCB0 数据手册

与K9F5608U0D-JCB0相关器件

与K9F5608U0D-JCB0相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K9F5608U0D-JCB0

K9F5608U0D-JCB0 技术参数

K9F5608U0D-JCB0 数据手册

与K9F5608U0D-JCB0相关器件

与K9F5608U0D-JCB0相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？