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K9F5608U0D-PCB0

更新时间： 2024-11-25 23:14:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	861K
描述
32M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F5608U0D-PCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	30 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e6	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	部门数/规模：	2K
端子数量：	48	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.025 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	Base Number Matches：	1

K9F5608U0D-PCB0 数据手册

K9F5608R0D

K9F5608U0D

FLASH MEMORY

K9F5608D0D

K9F5608X0D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F5608U0D-PCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608U0DPCB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608U0D-PIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0DPIB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608U0D-PIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608U0D-XCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-XIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0M-	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0M-YCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
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