是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.83 | 最长访问时间: | 30 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 2K | 端子数量: | 48 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 页面大小: | 512 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Bismuth (Sn97Bi3) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9F5608U0DPCB000 | SAMSUNG |
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Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 | |
K9F5608U0D-PIB0 | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608U0DPIB000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 | |
K9F5608U0D-PIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 | |
K9F5608U0D-XCB0 | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608U0D-XIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608U0M- | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608U0M-YCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608U0M-YIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608UOC | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |