5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.35 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F5608U0D-PIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| K9F5608U0D-XCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608U0D-XIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608U0M- | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608U0M-YCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608U0M-YIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608UOC | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608X0D | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608X0D-FCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608X0D-FIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
