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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.83 | 最长访问时间： | 30 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 2K |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小： | 512 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 16K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F5608U0D-XCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F5608U0D-XIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F5608U0M- | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608U0M-YCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F5608U0M-YIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608UOC | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F5608X0D | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F5608X0D-FCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F5608X0D-FIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F5608X0D-JCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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