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K9F5608U0D-JIB0

更新时间： 2024-11-25 23:15:07

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三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	861K
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F5608U0D-JIB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	JESD-609代码：	e3
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
部门数/规模：	2K	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA63,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9F5608U0D-JIB0 数据手册

K9F5608R0D

K9F5608U0D

FLASH MEMORY

K9F5608D0D

K9F5608X0D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F5608U0D-JIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0DJIB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0D-JIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608U0D-P	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-PCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-PCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608U0DPCB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608U0D-PIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0DPIB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 20 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F5608U0D-PIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48

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