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K7I163682B-FC250

更新时间： 2024-11-20 19:39:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	410K
描述
DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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K7I163682B-FC250 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	长度：	15 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.21 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.55 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

K7I163682B-FC250 数据手册

K7I163682B

K7I161882B

512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b2 SRAM

18Mb DDRII SRAM Specification

165FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 5.0 July 2006

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K7I163682B-FI300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I163684B	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b4 SRAM

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