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K7A403200M-QC100

更新时间： 2024-09-27 19:59:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	402K
描述
Cache SRAM, 128KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7A403200M-QC100 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	4.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7A403200M-QC100 数据手册

K7A403200M

128Kx32 Synchronous SRAM

Document Title

128Kx32-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

1.0

2.0

Initial draft

May . 19. 1998

June . 02. 1998

Final

change tCYC from 8.5ns to 10.0ns.

Modify Rev No. from 0.0 to 1.0.

3.0

Modify DC characteristics( Input Leakage Current test Conditions)

form VDD=VSS to VDD to Max.

June. 08. 1998

Final

4.0

5.0

Add VDDQ Supply voltage( 2.5V )

Dec. 02. 1998

Feb. 10. 1999

Final

Remove 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

February 1999

Rev 5.0

12 3 4 5 6 7...15

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