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K7A403200M-QC14T

更新时间： 2024-11-16 06:42:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 402K
描述
Standard SRAM, 128KX32, 4ns, CMOS, PQFP100

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K7A403200M-QC14T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：QFP, QFP100,.63X.87Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：138 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PQFP-G100JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：32湿度敏感等级：3
端子数量：100字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.375 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40

K7A403200M-QC14T 数据手册

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K7A403200M  
128Kx32 Synchronous SRAM  
Document Title  
128Kx32-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Date  
Remark  
1.0  
2.0  
Initial draft  
May . 19. 1998  
June . 02. 1998  
Final  
Final  
change tCYC from 8.5ns to 10.0ns.  
Modify Rev No. from 0.0 to 1.0.  
3.0  
Modify DC characteristics( Input Leakage Current test Conditions)  
form VDD=VSS to VDD to Max.  
June. 08. 1998  
Final  
4.0  
5.0  
Add VDDQ Supply voltage( 2.5V )  
Dec. 02. 1998  
Feb. 10. 1999  
Final  
Final  
Remove 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
February 1999  
Rev 5.0  
1234567...15

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