Datasheet > K7A403209B-QC20T

K7A403209B-QC20T

更新时间： 2024-11-16 05:41:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	413K
描述
Standard SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7A403209B-QC20T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	2.8 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e1	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	端子数量：	100
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.33 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40

K7A403209B-QC20T 数据手册

K7A403609B

K7A403209B

K7A401809B

128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM

4Mb Sync. Pipelined Burst SRAM

Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 3.0 July 2006

- 1 -

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与K7A403209B-QC20T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7A403209B-QC22	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 128KX32, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A403209B-QC25	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 128KX32, 2.4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A403209B-QC250	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 128KX32, 2.4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A403209B-QC25T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX32, 2.4ns, CMOS, PQFP100
K7A403209B-QC27	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 128KX32, 2.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A403209B-QI200	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A403209B-QI20T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100
K7A403209B-QI22	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 128KX32, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A403209B-QI25	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 128KX32, 2.4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A403209B-QI25T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX32, 2.4ns, CMOS, PQFP100

与K7A403209B-QC20T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

11
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7A403209B-QC20T

K7A403209B-QC20T 技术参数

K7A403209B-QC20T 数据手册

与K7A403209B-QC20T相关器件

与K7A403209B-QC20T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7A403209B-QC20T

K7A403209B-QC20T 技术参数

K7A403209B-QC20T 数据手册

与K7A403209B-QC20T相关器件

与K7A403209B-QC20T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？