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K7A403600B-QI14T

更新时间： 2024-11-15 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	412K
描述
Standard SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PQFP100

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K7A403600B-QI14T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	138 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	1
端子数量：	100	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.05 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K7A403600B-QI14T 数据手册

K7A403600B

K7A403200B

K7A401800B

128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM

4Mb Sync. Pipelined Burst SRAM

Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

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or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 2.0 July 2006

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